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NXP Semiconductors
PESD5V0L7BAS; PESD5V0L7BS
Low capacitance 7-fold bidirectional ESD protection diode arrays
001aaa631
120
I PP
(%)
80
100 % I PP ; 8 μ s
e ? t
001aaa630
I PP
100 %
90 %
5 0 % I PP ; 20 μ s
40
10 %
0
0
10
20
30
t ( μ s)
40
t r = 0.7 ns to 1 ns
30 ns
60 ns
t
Fig 1.
8/20 ? s pulse waveform according to
IEC 61000-4-5
Fig 2.
ElectroStatic Discharge (ESD) pulse waveform
according to IEC 61000-4-2
6. Characteristics
Table 9. Characteristics
T amb = 25 ? C unless otherwise specified
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Per diode
V RWM
reverse standoff voltage
-
-
5
V
I RM
reverse leakage current
V RWM = 5 V; see Figure 6
-
3
25
nA
V CL
V BR
r dif
C d
clamping voltage
breakdown voltage
differential resistance
diode capacitance
I PP = 1 A
I PP = 2.5 A
I R = 1 mA
I R = 1 mA
V R = 0 V; f = 1 MHz;
[1]
[1]
-
-
7.2
-
-
-
-
7.6
-
8
11
17
7.9
100
10
V
V
V
?
pF
see Figure 5
[1]
Non-repetitive current pulse 8/20 ? s exponentially decaying waveform according to IEC 61000-4-5; see Figure 1 .
PESD5V0L7BAS_BS
Product data sheet
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Rev. 4 — 23 June 2010
? NXP B.V. 2010. All rights reserved.
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